Анализатор D2 CRYSO Bruker
Анализатор D2 CRYSO Bruker дифрактометр для определения ориентации кристалла.
Процесс выращивания монокристаллов в промышленных масштабах является основой для производства полупроводниковых пластин, оптических элементов, а также монохроматоров и кристаллов-анализаторов. Существенной частью этого процесса является определение ориентации кристаллической решетки. В процессе производства данный параметр должен непрерывно контролироваться. В большинстве случаев, рентгеновская дифракция является единственным неразрушающим методом контроля, удовлетворяющим этой задаче.
Новое решение в дифрактометрии D2 CRYSO настольный анализатор для определения ориентации кристалла с помощью метода энергодисперсионной рентгеновской дифракции (ED-XRD). D2 CRYSO является мощным инструментом для определения ориентации кристаллической решетки средних и крупных монокристаллов. Дифрактометр незаменим для контроля процесса роста кристалла и производстве монокристаллических материалов.
D2 CRYSO оснащен 30 мм2 кремниевым дрейфовым детектором XFlash® и высокоэффективным микрофокусным источником рентгеновского излучения. Эта комбинация позволяет получать высокое энергетическое разрешение и скорость без использования внешних охлаждающих устройств.
- Определение ориентации кристалла при производстве монокристаллических пластин.
Технические характеристики D2 CRYSO Bruker:
| Диапазон определяемых элементов | от Si (14) до и (92) |
| Энергетическое разрешение (приведенное к K-alpha линии Мп (5,9 КэВ), эВ, при скорости счета 1000 имп/с, не более | 160 |
| Пределы допускаемой абсолютной погрешности измерения основной ориентации, градус | ±0,02 |
| Пределы допускаемой абсолютной погрешности измерения ориентации плоскости, градус | ±0,3 |
| Максимальная скорость счета, имп/с | 100 ООО |
| Угловой диапазон перемещения держателя образца, градус | 0-340 |
| Угловой диапазон дифракции 20, градус | 59-134 |
| Угол падения первичного пучка, градус | 30 |
| Напряжение питания переменного тока частотой (50±1) Гц, В | 220 (+10/-15)% |
| Время подготовки к работе, ч | 1 |
| Потребляемая мощность, ВА | 150 |
| Средний срок службы, лет | 8 |
